(i) Ge समूह 14 का तत्व है जबकि In समूह 13 का तत्व है Ge के साथ In का डोपिंग करने पर लैटिस में इलेक्ट्रॉन न्यून छिद्र उतपन्न हो जाते है तथा डोप्ड पदार्थ p-प्रकार के अर्द्धचालक की तरह कार्य करता है |
(ii) B समूह 13 का तत्व है जबकि Si समूह 14 का तत्व है | डोप्ड पदार्थ सामान्य इलेक्ट्रॉन संचरण क्रियाविधि के द्वारा विधुत का संचालन करेगा तथा n-प्रकार का अर्द्धचालक होगा |